近年來，隨著工業(yè)、汽車等市場(chǎng)需求的增加，以GaN、SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料的重要性與優(yōu)越性逐漸凸顯了出來。同時(shí)，隨著第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)日趨成熟，生產(chǎn)成本不斷降低，使得第三代半導(dǎo)體材料突破傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體材料的瓶頸，從而引領(lǐng)了新一輪產(chǎn)業(yè)革命。
根據(jù)Yole于2018年發(fā)布的 《功率碳化硅（SiC）材料、器件和應(yīng)用-2018版》報(bào)告預(yù)測(cè)顯示，到2023年SiC功率市場(chǎng)總值將超過14億美元，2017年至2023年的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）將達(dá)到29%。2019-2020年，5G網(wǎng)絡(luò)的實(shí)施將接棒，推動(dòng)GaN市場(chǎng)增長(zhǎng)。未來10年，GaN市場(chǎng)將有望超過30億美元。
由此可見，未來采用第三代半導(dǎo)體材料器件的產(chǎn)品和企業(yè)將會(huì)越來越多。但在半導(dǎo)體器件向小型化和集成化方向發(fā)展的同時(shí)，半導(dǎo)體器件特性測(cè)試對(duì)測(cè)試系統(tǒng)也提出了越來越高的要求。舉個(gè)例子，這些器件的接觸電極尺寸只有微米量級(jí)，而這就是測(cè)試儀器所要面臨的挑戰(zhàn)之一。
因此，小型化器件需要測(cè)試設(shè)備在低噪聲源表、探針臺(tái)和顯微鏡等方面提升性能，使之具備更高的低電流測(cè)試能力，能夠支持測(cè)量各種功率范圍的器件。
除此之外，為了縮短測(cè)試所用的時(shí)間，這種儀器還必須能夠監(jiān)視這臺(tái)設(shè)備所消耗的電壓和電流，并以此來判斷設(shè)備的性能或測(cè)試設(shè)備是否正常工作。而與其他器件相比，測(cè)試第三代半導(dǎo)體材料器件的性能，則需要精度更高、靈敏度更高的測(cè)試儀器。
數(shù)字源表源測(cè)量單元（SMU）就被視為是可支持第三代半導(dǎo)體材料器件的測(cè)試儀器。這種儀器在同一引腳或連接器上結(jié)合了源功能和測(cè)量功能，它將電源或函數(shù)發(fā)生器，數(shù)字萬用表（DMM）或示波器，電流源和電子負(fù)載的功能集成到一個(gè)緊密同步的儀器中。可以在輸出電壓或電流的同時(shí)，測(cè)量電壓和/或電流。
一般說來，SMU測(cè)量能力超過類似單臺(tái)儀器的任意組合。SMU可以進(jìn)行高精度，高分辨率和高靈活性的測(cè)試分析。被廣泛應(yīng)用在 IV 檢定、測(cè)試半導(dǎo)體及非線性設(shè)備和材料等方面的測(cè)試方面。這對(duì)于吞吐量和準(zhǔn)確度尤其如此。源和測(cè)量電路的詳盡設(shè)計(jì)知識(shí)和工作電路之間的反饋實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償技術(shù)能實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀的儀器特性，包括能針對(duì)具體工作條件進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整的近乎完美輸入和輸出阻抗。這種緊密集成以極高分辨率實(shí)現(xiàn)快速源-測(cè)量周期。這些優(yōu)點(diǎn)在半成品晶圓以及成品上進(jìn)行的半導(dǎo)體測(cè)量中最突出。
而在眾多SMU測(cè)儀表中，又尤屬吉時(shí)利的表現(xiàn)最突出。據(jù)悉，吉時(shí)利SMU儀器已經(jīng)幫助南京大學(xué)的研究人員進(jìn)行了薄膜晶體管和半導(dǎo)體材料測(cè)試。同時(shí)其2450源表也進(jìn)入到了中山大學(xué)半導(dǎo)體材料與器件特性表征實(shí)驗(yàn)室，幫助師生完成了新材料的相關(guān)測(cè)試。
據(jù)了解，吉時(shí)利SMU儀器還可用于便攜式無線設(shè)備等電子成品的生產(chǎn)測(cè)試；HBLED和太陽能電池等電子器件的QA/FA；適于納米技術(shù)應(yīng)用的石墨烯等高級(jí)材料的研究。